全球内存市场需求持续不减，国际大厂纷纷投入扩产行动。包括龙头三星在 NAND Flash 方面，宣布中国西安开始第 2 期的建设工程，DRAM 上也有意在韩国平泽(Pyeongtaek)厂大幅生产。而另一家韩国大厂 SK 海力士，除了生产 NAND Flash 的 M15 厂预期在 2019 年正式营运之外，在 DRAM 部分也斥资 86 亿美元，将在中国无锡兴建第 2 期厂房。

另外，专注在 NAND Flash 产品的东芝，除了 Fab 6 厂即将在 2019 年营运外，还斥资 70 亿美元用于兴建 Fab7 厂，完成后将用于 96 层堆栈的 3D NAND Flash 生产。美光部分，日前除宣布将在新加坡设立 NAND Flash 的第 3 座工厂之外，在 DRAM 产品方面，虽然无新扩建产能的计划，但是预计将在中国台湾以提高生产效率来拉高位成长率的方式，提升产能。

因此，面对各家国际内存大厂的来势汹汹，中国大陆的内存厂投资也开始急起直追，预计也将在 2019 年加入全球扩产战局。据台湾电子时报网站引述业内知情人士报道称，七月底，中国第一家内存企业福建晋华集成电路公司的生产线设备安装将完成，使用12英寸晶圆制造技术，这为三季度的大规模量产铺平了道路。根据 TrendForce 内存储存研究 (DRAMeXchange) 指出，中国内存产业目前以投入 NAND Flash 市场的长江存储、专注于移动内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存晋华集成 3 大阵营为主。以目前 3 家厂商的进度来看，其试产时间预计将在 2018 年下半年，随着 3 大阵营的量产的时间可能皆落在 2019 年上半年，揭示着 2019 年将成为中国内存生产元年。

在这样的市场背景下，中国公司首次实现内存芯片的量产，意义尤为重大。

DRAMeXchange 表示，从 3 大厂目前布局进度来看，合肥长鑫的厂房已于 2017 年 6 月封顶完工，并且于第 3 季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同，试产时程将会落于 2018 年第 3 季，量产则暂定在 2019 年的上半年，时程较预期落后。此外，由于合肥长鑫直攻三大 DRAM 厂最重要产品之一的 LPDDR4 8Gb，尔后面临专利争议的可能性也较高，为了避免此一状况，除了积极累积的专利权外，初期可能将锁定于中国销售。反观，专注于利基型记忆的晋华，技术合作方是台湾地区老牌半导体企业联华电子公司。晋华在 2016 年 7 月宣布于福建省晋江市建 12 吋厂，投资金额约 53 亿美元，成为中国半导体历史上第一家内存企业，因此也获得了各级政府的支持。以目前进度来看，其利基型内存的试产延后至 2018 年第 3 季度，量产时程也将落在 2019 年上半年。

此外，从中国厂商 NAND Flash 的发展进程来看，2016 年 12 月底，由紫光集团旗下的长江存储主导的国家内存基地正式动土，官方预期分 3 阶段，共建立 3 座 3D-NAND Flash 厂房。第一阶段厂房已于 2017 年 9 月完成兴建，预定 2018 年第 3 季开始移入机台，并于第 4 季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产 32 层 3D-NAND Flash 产品，并预计于自家 64 层技术成熟后，再视情况拟定第 2、3期生产计划。DRAMeXchange 指出，观察中国内存厂商的研发与产出计划，2019 年将是中国内存产业的生产元年。但也由于 2 家 DRAM 厂预估初期量产规模并不大，短期难撼动全球市场现有格局。无论是 DRAM 或是 NAND Flash 产品，各家都是初试啼声，相较于耕耘多年的既有内存大厂所面临的挑战更多，因此亦不排除量产时间点也可能比原先预期延后。

长期来看，随着中国内存产品逐步成熟，预计2020 年到 2021 年，2 家 DRAM 厂商现有工厂将逐步满载，在最乐观的预估下，届时 2 家厂商合计约有每月 25 万片的投片规模，可能将开始影响全球 DRAM 市场的供给。另一方面，长江存储计划设有的 3 座厂房总产能可能高达每月 30 万片，不排除长江存储完成 64 层产品开发后，可能将进行大规模的投片，进而在未来 3 到 5 年对 NAND Flash 的供给产生重大影响。